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采用氧化物陶瓷靶磁控溅射制备薄膜的方法 Patent
专利号: CN103726026B, 申请日期: 2014-01-10, 公开日期: 2016-03-02
Authors:  张振中;  申德振;  武晓杰;  王双鹏;  姜明明; et al.
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采用复合模式生长半导体薄膜的方法及装置 Patent
专利号: CN102312217B, 申请日期: 2011-09-06, 公开日期: 2013-04-17
Authors:  单崇新;  鞠振刚;  倪佩楠;  李炳辉;  王双鹏; et al.
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