UM  > INSTITUTE OF APPLIED PHYSICS AND MATERIALS ENGINEERING
Residential Collegefalse
Patent NumberKR101691196B1
Status已授權 Granted
질소 도핑된 그래핀의 제조방법 및 이로부터 제조된 질소 도핑된 그래핀
Alternative TitleMethod for preparation of N-doped graphene and N-doped graphene prepared thereby
Year Issued2016
2016-12-30
Application NumberKR1020140123501
Rights HolderPUSAN NATIONAL UNIVERSITY
HUI KWUN NAM; 후이관남
CountrySouth Korea
Subtype发明专利 Invention
Abstract

본 발명은 질소 도핑된 그래핀의 제조방법에 관한 것으로서, 탄소화합물과 아민화합물을 산성용액에 투입하여 가열 및 교반하여 열분해함으로써 탄소원자 및 질소원자를 포함하는 혼합물 용액을 제조하는 제1 단계; 상기 탄소원자 및 질소원자를 포함하는 혼합물 용액에 Fe2+이온을 포함하는 용액을 첨가하여 교반시킴으로써 탄소원자, 질소원자 및 Fe2+이온을 포함하는 화합물을 형성한 후, 이를 수득하는 제2 단계; 상기 제2 단계에서 수득한 화합물을 질소 분위기 하에서 열처리하여 Fe 기판을 형성하는 제3 단계; 및 상기 제3 단계를 거친 후, 냉각시킴으로써 상기 화합물에 포함된 탄소원자 및 질소원자를 상기 Fe 기판 상에 확산하여 질소가 도핑된 그래핀을 형성하는 제4 단계를 포함하는, 질소 도핑된 그래핀의 제조방법을 제공하며, 더욱 바람직하게는 상기 제4 단계를 거친 후, 산을 첨가하여 반응시킴으로써 Fe 기판을 제거하는 제5 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.

Other Abstract

The present invention relates to a method for producing graphene doped with nitrogen, comprising the steps of: adding a carbon compound and an amine compound to an acidic solution; heating and stirring the mixture to pyrolyze the mixture; thereby preparing a mixture solution containing carbon atoms and nitrogen atoms; A solution containing Fe 2+ ions is added to a mixture solution containing the carbon atoms and nitrogen atoms and stirred to form a compound containing carbon atoms, nitrogen atoms, and Fe 2+ ions, and then a second step; A third step of subjecting the compound obtained in the second step to a heat treatment in a nitrogen atmosphere to form an Fe substrate; And a fourth step of cooling the carbon and nitrogen atoms contained in the compound by the third step to form graphene doped with nitrogen by diffusing carbon and nitrogen atoms contained in the compound onto the Fe substrate, The method further includes a fifth step of removing the Fe substrate by adding an acid after the fourth step of the reaction.

Open (Notice) NumberKR101691196B1
IPC Classification NumberC01b31/04
CPC Classification NumberC01b32/20 ; C01b32/184 ; C01b32/194 ; C01b2204/20
Patent Agent김성현
Document TypePatent
CollectionINSTITUTE OF APPLIED PHYSICS AND MATERIALS ENGINEERING
Recommended Citation
GB/T 7714
HUI KWUN NAM,후이관남. 질소 도핑된 그래핀의 제조방법 및 이로부터 제조된 질소 도핑된 그래핀. KR101691196B1[P]. 2016-12-30.
APA HUI KWUN NAM., & 후이관남 질소 도핑된 그래핀의 제조방법 및 이로부터 제조된 질소 도핑된 그래핀.
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